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中村 幸治; J.B.Lister*; F.Hofmann*; Y.R.Martin*; J.-M.Moret*; P.Vyas*
Europhysics Conference Abstracts (CD-ROM), 23J, p.417 - 420, 1999/00
い崩壊(プラズマ圧力の急激な低下)によって引き起こされるプラズマの垂直移動現象(VDE)について、高非円形TCVトカマクにおける発生機構を計算機シミュレーションの実験によって調べた。TCVでは、崩壊の規模及びプラズマ断面形状の非円形度に従って、VDEが発生する場合と発生しない場合があり、これがプラズマ運動を模擬できるシミュレーションの結果と一致することを示した。また、崩壊型のVDEを伴う典型的なディステプション放電について、シミュレーションを行い、崩壊の際に生じるプラズマの内向き変位の結果、渦電流が真空容器に発生し、この渦電流が非円形プラズマの宿命である垂直位置不安定性をさらに悪化させていることを明らかにした。本会議では、上記TCVトカマクのVDE発生機構とこれを一般化した物理モデルについて報告する。
芳野 隆治; Koga, J. K.*; 竹田 辰興
Fusion Technology, 30(2), p.237 - 250, 1996/11
ディスラプションにおけるプラズマ電流消滅時には、真空容器に渦電流が誘起され、プラズマ電流中心の垂直位置(Z)の検出に誤りを発生する。この誤りは、垂直方向のプラズマの移動(VDE)をひきおこし、真空容器内部の損傷の原因となる。このため、ITER等の核融合炉では、VDEの回避が必要とされている。一方、定常状態では、高い精度で、Zを検出しプラズマの高い性能を維持する必要がある。このため、プラズマ電流消滅時と定常状態の両方に適用できるZの検出アルゴリズムについて検討した。この結果、統計処理法を用いると、Zの検出精度を両方の状態にて同時に改善するのが困難であるのに対し、ニューラルネットワーク法は、同時に改善することが可能であることを解明した。
松川 誠; 牛草 健吉; 閨谷 譲; 芳野 隆治; 二宮 博正
Fusion Engineering and Design, 23, p.341 - 349, 1993/00
被引用回数:3 パーセンタイル:35.79(Nuclear Science & Technology)JT-60Uの真空容器は、一周抵抗が200と小さく、そのため大きな誘導電流が流れる。プラズマ着火時やディスラプション時など大きな一周電圧が印加される場合に、この誘導による真空容器渦電流を無視しては、正確なプラズマ位置形状の同定は困難である。そこで、マグネティックフィッティングコードを、容器渦電流の分布をも含めて同定可能とし、JT-60Uに対して適用した。その結果、渦電流がプラズマ電流よりはるかに大きい場合でも正確なプラズマ位置形状の同定が可能となり、得られた結果は可視テレビとも良く一致することが確かめられた。論文では、垂直位置不安定性が顕著な場合なども含めて、プラズマと容器電流との相互作用について解析した結果を報告する。
渡邊 清政; 原 雄二郎*; 柴田 欣秀; 嶋田 祥宏*; 中村 裕司*; 諫山 明彦; 宮本 斉児*
no journal, ,
プラズマ電流分布の時間発展特性がディスラプション時に発生するVDEの成長率及びVDE発生時の電流減衰時間の決定機構に与える影響を明らかにすることを目的として、初期平衡や電流クエンチ時の抵抗値の大きさ、その分布を通した電流分布の時間発展特性の違いによるVDEの成長率及びVDE発生時の電流減衰時間の違いを調べた。VDEが発生する放電では、VDE時の平均電流密度がほぼ一定で、プラズマ電流の減衰率はVDEの成長率に強く依存するが、この性質は初期電流分布の違いや抵抗の大きさ、その分布の変化による電流分布の時間発展特性の違いに関わらず、維持されることが解った。また、初期電流分布がピークしているほど、VDE成長率は小さい。抵抗が下がる(温度が上がる)ほど、VDE成長率は小さい。抵抗値が空間分布を持つ(中心ホロー分布を持つ)と、VDE成長率は小さくなることも解った。